图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Active |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 62 V |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 2 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.4 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 封装 | Rail |
| 下降时间 | 3 us |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 1 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 40 W |
| 上升时间 | 3 us |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 典型关闭延迟时间 | 5 us |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 400@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 最大漏源电压 | 62 |
| 引脚数 | 3 |
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